Prêmio Nobel em Física – 1956
John Bardeen, William Bradford Schockley, Walter Houser Brattain; Fonte: site Nobel Prize.
O Prêmio Nobel de Física de 1956 foi concedido em conjunto a William Bradford Shockley, John Bardeen e Walter Houser Brattain “por suas pesquisas sobre semicondutores e sua descoberta do efeito do transistor”. Os semicondutores que levaram ao desenvolvimento do transistor, um dispositivo de estado sólido que amplifica a corrente elétrica. Transistor executou funções eletrônicas semelhantes à válvula eletrônica no rádio e televisão, mas de longe muito menor e usando muito menos energia, com essa invenção ambos John, William e Walter tiveram uma divisão de igualdades para o Prêmio Nobel de 1956 pela descoberta e pesquisa do semicondutor e do efeito transistor. John Bardeen teve a participação pela condução elétrica em semicondutores e metais, propriedades de superfície de semicondutores, teoria da supercondutividade e difusão de átomos em sólidos. William Bradford Schockley teve como participação a ordem e desordem em ligas e a Autodifusão de cobre. Walter Houser Brattain teve atuação nas propriedades de superfície de sólido, sendo que as suas principais contribuições foram a descoberta do “foto efeito” na superfície livre de um semicondutor. John B. Nasceu dia 23 de maio de 1908 em Madison, Wisconsin, frequentou a University High School em Madison e assim se formou na Madison Central High School em 1923. Em 1957 John e dois colegas (LN Cooper e JR Schrieffer) propuseram a primeira explicação bem-sucedida da supercondutividade, onde com essa teoria deram andamento para o prêmio nobel de Física em 1972. William B.S. nasceu dia 13 de fevereiro em 1910, na cidade de Londres em Reino Unido, graduou-se no Instituto de Tecnologia de Califórnia em 1932. A pesquisa de William tem sido centrada de energias em sólidos; Teoria de tubos de vácuo; Vários tópicos em física de transistor e entre outros. Walter H.B. nasceu dia 10 de fevereiro de 1902 em Amoy na China, Walter é membro da Academia Nacional de Ciências e do Instituto Franklin e também é membro da comissão de semicondutores da União Internacional de Física Pura e Aplicada e do Comitê Consultivo de Pesquisa Naval. Autor do texto: Lhonidas de Senna Junior Revisão: Lhonidas de Senna Junior Referências: [1] Disponível em <http://www.nobelprize.org/nobel_prizes/physics/laureates/1956/>. Acesso 20 de fev. 2017
