{"id":4865,"date":"2018-10-21T17:07:34","date_gmt":"2018-10-21T20:07:34","guid":{"rendered":"https:\/\/www3.unicentro.br\/petfisica\/?p=4865"},"modified":"2019-11-02T14:58:47","modified_gmt":"2019-11-02T17:58:47","slug":"premio-nobel-em-fisica-2000-2","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www3.unicentro.br\/petfisica\/2018\/10\/21\/premio-nobel-em-fisica-2000-2\/","title":{"rendered":"Pr\u00eamio Nobel em F\u00edsica – 2000"},"content":{"rendered":"

Zhores I. Alferov, Herbert Koemer, Jack St. Clair Kilby; Fonte: site Nobel Pryze.<\/span><\/em><\/p>\n

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O Pr\u00eamio Nobel de F\u00edsica de 2000 foi concedido aos f\u00edsicos, o alem\u00e3o Herbert Kroemer e o russo Zhores I. Alferov, pelo desenvolvimento das heteroestruturas semicondutoras (HeS) e ao engenheiro eletr\u00f4nico norte-americano Jack St. Clair Kilby, pela inven\u00e7\u00e3o do circuito integrado (chip<\/em>).<\/span><\/p>\n

Os componentes eletr\u00f4nicos s\u00e3o geralmente feitos de semicondutores, ou seja, material que \u00e9 algo entre um condutor e um isolador. Um semicondutor, que consiste em v\u00e1rias camadas finas com lacunas da banda diferentes \u00e9 denominado um semicondutor heteroestruturado. S\u00e3o feitos de arseneto de g\u00e1lio (GaAs) e arseneto de g\u00e1lio de alum\u00ednio (AlGaAs). As camadas s\u00e3o geralmente selecionadas de modo que suas estruturas cristalinas encaixam entre si e a carga pode mover-se quase livremente na interface. A primeira proposta para um transistor de heteroestrutura foi publicado em 1957 por Herbert Kroemer. O seu trabalho mostrou que um heterotransistor pode ser superior a um transistor convencional, particularmente para aplica\u00e7\u00f5es de amplifica\u00e7\u00e3o de corrente e de alta frequ\u00eancia. Uma frequ\u00eancia de 600 GHz foi medida num heterotransistor, ou seja cerca de 100 vezes maior do que os melhores transistores comuns. Al\u00e9m disso, o ru\u00eddo \u00e9 baixo em amplificadores de base de tais componentes.<\/span><\/p>\n

J\u00e1 o circuito integrado \u00e9 mais uma inven\u00e7\u00e3o t\u00e9cnica do que uma descoberta na f\u00edsica. No entanto, abrange diversos problemas f\u00edsicos. Um exemplo \u00e9 a quest\u00e3o de como alum\u00ednio e ouro, que s\u00e3o parte de um circuito integrado, diferem quanto a sua ades\u00e3o ao sil\u00edcio. Assim, \u00e9 \u00f3bvio que o desenvolvimento do circuito integrado solicitava enorme investimento em pesquisa e desenvolvimento na f\u00edsica de estado s\u00f3lido. Isso n\u00e3o s\u00f3 levou ao desenvolvimento em tecnologia de semicondutores, mas tamb\u00e9m para o desenvolvimento gigantesco de aparelhos e instrumentos. Jack Kilby e Robert S. Noyce s\u00e3o ambos considerados como os inventores do circuito integrado. Kilby foi quem construiu o primeiro circuito. Noyce desenvolveu o circuito como foi mais tarde a ser fabricado. Robert Noyce morreu em 1990. Ele ent\u00e3o foi homenageado como um dos fundadores mais importantes do Vale do Sil\u00edcio.<\/span><\/p>\n

Autor do texto:<\/strong> Layara B. Boch.<\/span><\/p>\n

Refer\u00eancias:<\/strong><\/span><\/p>\n

NOBELPRIZE.ORG. The Nobel Prize in Physics 2000.<\/strong> Dispon\u00edvel em: <http:\/\/www.nobelprize.org\/nobel_prizes\/physics\/laureates\/2000\/popular.html>. Acesso em: 13 de dezembro de 2015.<\/span><\/p>\n

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